芯片失效分析

    失效分析屬于芯片反向工程開(kāi)發(fā)范疇。芯片失效分析主要提供封裝去除、層次去除、芯片染色、芯片拍照、大圖彩印、電路修改等技術(shù)服務(wù)項(xiàng)目。公司專門設(shè)立有集成電路失效分析實(shí)驗(yàn)室，配備了國(guó)外先進(jìn)的等離子蝕刻機(jī)（RIE）、光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡（SEM）和聚焦離子束機(jī)（FIB）等設(shè)備，滿足各項(xiàng)失效分析服務(wù)的要求。
    公司擁有一套完善的失效分析流程及多種分析手段，全方位保證工程質(zhì)量及項(xiàng)目文件的準(zhǔn)確無(wú)誤。

失效分析流程：
1、外觀檢查，識(shí)別crack，burnt mark等問(wèn)題，拍照。
2、非破壞性分析：主要用xray查看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，csam—查看是否存在delamination
3、進(jìn)行電測(cè)。 
4、進(jìn)行破壞性分析：即機(jī)械機(jī)械decap或化學(xué)decap等

常用分析手段： 
1、X-Ray 無(wú)損偵測(cè)，可用于檢測(cè) 
* IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性
* PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接 
* 開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷 
* 封裝中的錫球完整性 
2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 
    可對(duì)IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性檢測(cè), 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕
    晶元面脫層
    錫球、晶元或填膠中的裂縫
    封裝材料內(nèi)部的氣孔 
    各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞
3、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀
    可用于材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測(cè)量元器件尺寸
4、三種常用漏電流路徑分析手段：EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測(cè)試/LC 液晶熱點(diǎn)偵測(cè) 
    EMMI微光顯微鏡用于偵測(cè)ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的異常。
    OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析.利用OBIRCH方法，可以有效地對(duì)電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等；也能有效的檢測(cè)短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補(bǔ)充。 
    LC可偵測(cè)因ESD,EOS應(yīng)力破壞導(dǎo)致芯片失效的具體位置。
5、Probe Station 探針臺(tái)/Probing Test探針測(cè)試，可用來(lái)直接觀測(cè)IC內(nèi)部信號(hào)
6、ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測(cè)試
7、FIB做電路修改 
    FIB聚焦離子束可直接對(duì)金屬線做切斷、連接或跳線處理. 相對(duì)于再次流片驗(yàn)證, 先用FIB工具來(lái)驗(yàn)證線路設(shè)計(jì)的修改, 在時(shí)效和成本上具有非常明顯的優(yōu)勢(shì). 
    此外，公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)還積累了諸如原子力顯微鏡AFM ,二次離子質(zhì)譜 SIMS,飛行時(shí)間質(zhì)譜TOF － SIMS ,透射電鏡TEM , 場(chǎng)發(fā)射電鏡,場(chǎng)發(fā)射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測(cè)試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等多種復(fù)雜分析手段。

服務(wù)項(xiàng)目：
     封裝去除 
    利用先進(jìn)的開(kāi)蓋設(shè)備和豐富的操作經(jīng)驗(yàn)，能夠安全快速去除各種類型的芯片封裝，專業(yè)提供芯片開(kāi)蓋與取晶粒服務(wù)。 

芯片開(kāi)蓋

開(kāi)蓋機(jī)

     層次去除
   采用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和成熟的刻蝕方法，專業(yè)提供去除聚酰亞氨（Polyimide）、去除氧化層（SiO2）、去除鈍化層（Si3N4、SiO2）、去除金屬層（Al 、CU、W）等芯片去層次技術(shù)支持與服務(wù)，承諾以完美的刻蝕效果為客戶提供專業(yè)的芯片處理。 
    芯片染色 
    阱區(qū)染色：模擬類型芯片進(jìn)行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情況，因此需要對(duì)芯片進(jìn)行阱區(qū)染色，把P阱和N阱用不同的顏色加以區(qū)分。 

    阱區(qū)染色

    ROM碼點(diǎn)染色：ROM存儲(chǔ)模式中有大部分是利用離子注入的方式來(lái)區(qū)分0和1，當(dāng)讀取ROM中的0和1代碼時(shí)，就需要對(duì)芯片進(jìn)行染色以區(qū)分0和1。

    芯片拍照 
    為保證良好的拍照效果，我們采用先進(jìn)光學(xué)顯微鏡和電子顯微鏡，能夠拍攝90nm工藝以上的各種芯片的圖像。同時(shí)，我們免費(fèi)為客戶進(jìn)行圖像的三維拼接，能夠大帶同層圖像完整無(wú)縫、異層圖像精確對(duì)準(zhǔn)的效果。 

0.35u工藝圖像

0.18u工藝圖像

    異層照片精確對(duì)準(zhǔn)，印刷后的大圖嚴(yán)格保留著芯片層間對(duì)準(zhǔn)關(guān)系，提圖時(shí)可以很方便地進(jìn)行通孔定位。 
精確放大倍率，1um在放大1000倍時(shí)，在照片上就是嚴(yán)格的1mm，從而保證精確快捷地測(cè)量器件的尺寸。 
定位線和微米尺，每幅大圖邊框上繪制了以微米為單位的坐標(biāo)系和半透明定位線，以方便用戶測(cè)量和定位。 

    電路修改

    我們利用先進(jìn)的聚焦離子束機(jī)（FIB）通過(guò)刻蝕和沉積的方法能夠修改多層布線的集成電路芯片。主要服務(wù)項(xiàng)目包括集成電路芯片引線修改（能夠修改最小工藝為90nm）；集成電路芯片材料和成分鑒定；微電路故障分析（最小尺寸為40nm）；制作納米級(jí)的光電子器件、生物傳感器件和超到電子器件等。