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集成電路及電子元器件

物(化) 性失效分析 PFA 

Decap 開(kāi)封

Bare Die Extraction 取晶粒

De-layer/De-process 去層解剖

Staining-Rom Code 碼點(diǎn)染色

Staining-P/N 阱染色

Staining-Resistor zone 電阻染色

De-Gold Bump 去金凸塊

 

金相分析 

精密定點(diǎn)及非定點(diǎn)研磨制樣 / 金相切片

顯微觀察分析(Lieca DM8000紫外干涉150X、Hitachi S4800 冷場(chǎng)發(fā)射電鏡+ EDS)

        

電性失效分析 EFA 

EMMI 微光顯微檢查

LC Hot Spot 液晶熱點(diǎn)偵測(cè)

OBIRCH 鐳射光束誘發(fā)阻值變化測(cè)試

Probe Station 探針應(yīng)用

   

FIB聚焦離子束應(yīng)用

微線路修改

測(cè)試鍵生成

Cross-Section

VC

精密切割及加工

 

無(wú)損偵測(cè) 

X-Ray + 3D CT(三維斷層掃描技術(shù))

C-SAM 掃描超聲波

 

芯片逆向工程及工藝評(píng)估

成功的正向設(shè)計(jì)需要隨時(shí)更新已有設(shè)計(jì)思路,糾正設(shè)計(jì)缺陷。反向設(shè)計(jì)作為一種輔助工具,可以幫助電路設(shè)計(jì)工程師在短時(shí)間里積累足夠多的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)并開(kāi)發(fā)適合自身設(shè)計(jì)水平的工藝參數(shù),有效規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)、提高效率。也可幫助設(shè)計(jì)公司提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,或?yàn)楸Wo(hù)自主產(chǎn)品知識(shí)產(chǎn)權(quán)提供有效證據(jù)。

 

靜電放電/閂鎖效應(yīng)測(cè)試 

ESD-HBM 人體模式

ESD-MM 機(jī)器放電模式

ESD-CDM 充電元器件模式

Latch-Up 閂鎖效應(yīng)測(cè)試

 

材料分析

AES 俄歇電子能譜儀應(yīng)用

AFM 原子力顯微鏡應(yīng)用

EELS 電子能量損失分析儀應(yīng)用

FT-IR 傅立葉紅外顯微鏡應(yīng)用              

SEM/EDS 掃描電子顯微鏡/X射線能譜儀應(yīng)用

SIMS 二次離子能譜儀(特殊定點(diǎn)/非定點(diǎn)制樣、元素分析)

TEM 透射電鏡(定點(diǎn)/非定點(diǎn)制樣及上機(jī)觀察)

TOF-SIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜應(yīng)用

XPS X射線光電子能譜儀應(yīng)用

 

可靠性測(cè)試

靜態(tài)環(huán)境可靠性測(cè)試

動(dòng)態(tài)環(huán)境可靠性試驗(yàn)…

機(jī)械應(yīng)力可靠性試驗(yàn)…

高加速壽命試驗(yàn)…


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